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（来源：通达信趋势财经）

国产旗舰里的内存，正在悄悄换"芯"。

长鑫第五代DRAM平台量产，24GB LPDDR5X进入国产主流旗舰——没有EUV，国产DRAM第一次摸到全球顶级量产工艺的门槛。

一、用户感知：从"能用"到"首发不落后"

普通用户对内存的感知，无非"够不够大、卡不卡"。

但供应格局已经变了。不到一年时间，国产内存完成了三级跳：

2025.10 长鑫量产 LPDDR5X

，覆盖 12GB / 16GB / 24GB

不到一年 24GB 版本进入国产主流旗舰

，大容量完成规模铺货

速率里程碑 10667Mbps LPDDR5X

在努比亚 NaviX Ultra 量产落地——国产最高速率 LPDDR5X 首次进入量产手机

全球首发 LPDDR6 登陆小米 18 Fold

，国产内存首次站上"首发位"

能用 → 好用 → 首发不落后

这三步，国产内存只用了三年

二、G5 技术坐标系：没有 EUV，拿菜刀雕花

DRAM 行业不爱直接说纳米，爱用 1a、1b、1c，像小区楼栋编号。把各家最新量产平台摆到同一把尺子下，G5 的位置一目了然：

平台

设计尺寸

光刻手段

状态

三星 1b

约12–13nm

约4层 EUV

量产成熟

三星 1c

约11–12nm

5–6层 EUV

良率75%+

SK海力士 1c

约11–12nm

EUV 路线

26Q2供货

长鑫 G5

11.95nm

四重曝光·0层EUV

已量产

坐标定位：G5 有源区半间距 11.95nm，大致卡在三星 1b 与 1c 之间，离全球最顶尖量产平台只差一口气——而且手里没有 EUV。

各家手里的"EUV 层数"：

三星 1b

~4层

三星 1c

5–6层

长鑫 G5

0 层

没有 EUV，长鑫用 DUV 多重曝光和刻蚀"拼"出精细图形，相当于拿菜刀雕花。

三项工艺，逐个拆开看：

四重曝光（SADP/SAQP 路线）

同一张图套刻四次，套歪一次就集体翻车，对套刻精度与刻蚀均匀性的要求指数级上升。

高介电常数金属栅

作用是降漏电、省功耗。逻辑芯片里常见，但 DRAM 电容对热预算极其敏感，适配难度不小。

45:1 深宽比电容孔

像在一根细吸管里刷油漆，还得刷匀——孔深是孔宽的 45 倍，刻蚀和填充都是地狱级。

硬功夫换来的结果：

11.95nm

有源区半间距

≥50%

每片晶圆裸片产出

6762nm

核心功能区高度

裸片产出提升至少 50%，规模效应一来，成本曲线就得往下走。

三、7 个月验证：比制程数字更吓人

2023

LPDDR5

2024

DDR5

2025

LPDDR5X

2026

LPDDR6 首发

国产 DRAM 产品代际节奏：一年一个台阶

G5 从技术开发到量产验证，被压缩到 7 个月 级别。DRAM 是极复杂的品类，7 个月走完工艺定型到客户验证，说明研发效率和产线调试已经换挡。

同期巨头在爬什么坡：

三星 1b 良率

92%

三星 1c 良率

75%+

海力士1c（Q1）

10%

海力士1c（Q4）

34%

巨头有 EUV，路径更直接；长鑫没 EUV，靠 DUV 多重曝光和工艺创新快速迭代。制程数字的差距可以量化，迭代速度的差距才是长期竞争的关键。

四、窗口期：HBM 吃香，通用 DRAM 漏风

三巨头把约 70% 的新增产能给了 HBM，通用 DRAM 供给被挤压。但 2026 年一季度，反直觉的一幕出现了：

~70%

三巨头新增产能中投向 HBM 的比例

HBM（单片晶圆）

营收指数

毛利指数

2026Q1 起产值已低于

DDR5 64GB RDIMM

通用 DRAM（单片晶圆）

营收：HBM 的 2 倍以上

毛利：接近 3 倍

SK海力士已放缓 HBM4

扩产，回头倾斜产能

巨头回头，不是良心发现，是发现这边更赚钱。竞争烈度阶段性下降，给长鑫留出了产能爬坡和客户拓展的空间。

4%

2025年二季度

→

一年 +150%

10%

2026年二季度

长鑫全球 DRAM 营收份额（同比）

瑞银 提醒：高毛利窗口可能只剩 2–3 年。长鑫必须在门关上之前，完成从"能造"到"大规模造"的跨越。

五、G5 之后：下一关是什么

G5 是里程碑，不是终点。下一关至少有三道：

关卡 01产能关

产能爬坡速度，决定能否真正吃到这一轮涨价红利。

长鑫 2026年底

~35万片/月

美光 同期

38.5万片/月

长鑫 远期目标

60万片/月

关卡 02HBM 关

HBM3 及 HBM3E 量产已被列为 2026 年目标，但在技术积累、认证周期与大客户关系上，与三星、SK海力士仍有差距。这一关考的不只是造得出，更是进得去供应链。

关卡 03非 EUV 路线关 · 换道超车的机会

长鑫正在合肥测试键合式 DRAM 试产线：DUV 多重曝光 + 晶圆键合，绕开 EUV；3D DRAM 也被视为可能路径，业界预计 2027 年有望突破。

长鑫路线

平面微缩被 EUV 卡住，就换维度提密度——没有包袱，反而可能率先跑通

三星 / 海力士

现有 EUV 路线还能走，在新架构上反而相对保守

11.95 纳米，是国产存储打到的一关

真正的考验不是某一代追平谁，而是建立一条可持续迭代、不依赖外部关键设备的技术路径。G5 证明这条路走得通——下一关，是走得快、走得远。

资料说明：本文依据长鑫存储世界制造业大会发布信息及公开行业报道整理，工艺参数、良率与份额数据以厂商披露和机构报告为准；本文为产业科普分析，不构成投资建议。

— 通达信趋势财经 · 2026.09 —